海思K3V2的性能信息
据华为芯片部首席构架师称，海思K3V2是华为芯片部费时两年的工作成果，采用的是64位内存总线，是Tegra 3内存总线的两倍，这是K3V2芯片性能提升的主要原因之一。官方声称这款芯片能够在一系列的基准测试中超越Tegra 3性能30%到50%。华为还表示公司将会把这款处理器芯片卖给其他企业。 华为负责人表示，时间紧迫，华为的速度要超过摩尔定律。海思希望能够在未来12个月内相继推出采用A15和A7构架的芯片。这两款芯片届时可能会采用28纳米制程，据华为透露，28纳米制程可能还需要六个月的时间工艺才能成熟。 集成460MHz 的ARM926EJ-S 处理器，支持ARM® JazelleTM JavaTM 硬件加速支持Mobile SDR/DDR SDRAM，提供片内8 层总线并行访问，最高到30Gbps 的片内带宽 。支持8/16bit NandFlash 存储访问及Flash lock 功能支持智能功耗性能调节（ Intelligence PowerPerformance Scaling）支持丰富外设接口和传感检查功能丰富的媒体功能，提供完整的图形加速、图像处理和音频处理解决方案部分IO 支持1.8V/2.5V 电压可配、工作模式可编程、支持低功耗模式提供方案级完整的电源系统与多种充电方式芯片符合RoHS 环保要求TFBGA460 封装、14mm%14mm、0.5mm pitch 能耗节能一直是华为手机的优点。此次依托全新内核K3V2创建的电源系统管理，在性能，发热，网络技术上进行智能优化，消除电力空耗，使用同样电池容量却能延长30%使用时间。真正达到可以2天一充！而配备2500mAh的D quad XL更是保用三天！海思K3V2的耗电演示图：
海思k3的典型应用
高性能、高集成度、低功耗的应用处理芯片Hi3611 内嵌ARM 处理器和媒体硬件加速模块，集成完整的电源管理单元和灵活的音频处理单元，提供完整硬件安全解决方案，有着业界领先的低功耗设计。Hi3611 具有优良的性能和功耗比，集成度高，特别适用于要求低功耗、高性能、高开放性的消费电子领域，包括但不限于以下场景：智能手机（Smart Phone）个人数字助手（PDA）移动互联网终端（MID）移动个人娱乐设备GPS 导航设备（PND）移动电视（Mobile TV）其他手持消费电子产品